专利
专利名称：低功耗半导体存储器的制作方法
专利号：201310062342.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-19
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201310013932.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-15
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201310014886
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-15
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201310014872.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-15
专利名称：单片集成红外焦平面探测器
专利号：201310024184
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-23
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201210591064.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-06
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201210543567.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-06
专利名称：互连结构及其制造方法
专利号：201310017093.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-17
专利名称：堆叠纳米线制造方法
专利号：201310007063.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-09
专利名称：堆叠纳米线制造方法
专利号：201310007089.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-01-09
专利名称：一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅
专利号：201210510352.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-03
专利名称：一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅
专利号：201210509428.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-03
专利名称：一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅
专利号：201210510130
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-12-03
专利名称：FinFET及其制造方法
专利号：201210507134.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：FinFET及其制造方法
专利号：201210464915.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-16