专利
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201210448686.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-09
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201210448458.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-09
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201210451050.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-12
专利名称：平坦化处理方法
专利号：201210505359.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：平坦化处理方法
专利号：201210505860.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：平坦化处理方法
专利号：201210505908.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：鳍结构制造方法
专利号：201210505760.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：鳍结构制造方法
专利号：201210505449.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：FinFET及其制造方法
专利号：201210506189.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：P型MOSFET及其制造方法
专利号：201210506506
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：N型MOSFET及其制造方法
专利号：201210505745.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201210506055
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201210505754.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：半导体器件的制造方法
专利号：201210505744.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
专利名称：P型MOSFET的制造方法
专利号：201210505742
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-11-30
