专利
专利名称：低温高覆盖性侧墙制造方法
专利号：201110433694.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-21
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110409652.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-09
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201110425474.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-16
专利名称：一种混合线条的制造方法
专利号：201110460558.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-31
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110394014.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-01
专利名称：MOSFET制造方法
专利号：201110419341.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-15
专利名称：后栅工艺中假栅的制造方法
专利号：201110433706.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-21
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201110391447.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-30
专利名称：石墨烯器件及其制造方法
专利号：201110360220.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-14
专利名称：一种半导体结构的制造方法
专利号：201110375108.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-23
专利名称：一种半导体结构的制造方法
专利号：201110362350.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-15
专利名称：一种半导体结构的制造方法
专利号：201110351250.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-08
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110339415.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-01
专利名称：半导体结构和形成该半导体结构的方法
专利号：201110314174.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-17
专利名称：晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件
专利号：201110336801.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-31