专利

专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110311343.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-14
专利名称：分子尺度界面SiO2的形成方法和控制方法
专利号：201110375162.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-23
专利名称：金属性纳米管去除方法
专利号：201110354410.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-10
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110297623.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-30
专利名称：MOSFET及其制造方法
专利号：201110322087
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-20
专利名称：一种MOS器件及其制造方法
专利号：201110329077.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-26
专利名称：具有双金属栅的CMOS器件及其制造方法
专利号：201110329080.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-26
专利名称：MOSFET及其制造方法
专利号：201110308554.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-12
专利名称：一种半导体结构及其制造方法（以对称结构来改善EOT）
专利号：201110306885.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-11
专利名称：在FinFET中应用硅化物
专利号：201110306988
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-11
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110303593.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-09
专利名称：背对背Fin结构的背栅接触
专利号：201110302970.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-09
专利名称：关于Fin应用Σ结构
专利号：201110298318.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-30
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110300828.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-29
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110300840.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-30
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