专利

专利名称：一种无CMP的适用于后栅工艺的平坦化技术
专利号：200910236720.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-10-28
专利名称：一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法
专利号：200910307689.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-09-25
专利名称：一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及腐蚀方法
专利号：200910304802
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-07-24
专利名称：一种钼铝氮金属栅的制备方法
专利号：200910087809.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-02-26
专利名称：一种调节金属硅化物源/漏肖特基势垒高度的方法
专利号：200910077723
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-02-13
专利名称：一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法
专利号：200910077622.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-02-09
专利名称：一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法
专利号：200910077625.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-02-09
专利名称：一种镍-自对准硅化物的制备方法
专利号：200910077621.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-02-09
专利名称：一种调节金属栅的栅功函数的方法
专利号：200910077624.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-02-09
专利名称：一种双金属栅功函数的调节方法
专利号：2.0091E+11
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-02-09
专利名称：一种钽铝氮金属栅的制备方法
专利号：2.0091E+11
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-02-09
专利名称：一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法
专利号：2.0091E+11
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-02-09
专利名称：半绝缘柱超结MOSFET结构
专利号：200910244530.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-30
专利名称：Manufacturing Method of Gate Stack and Semiconductor Device
专利号：1202288.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-02-09
专利名称：Semiconductor Device and Method for manufacturing the Same
专利号：1122197.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-22
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