专利
专利名称：NAND结构及其形成方法
专利号：200910241209.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-25
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：200910238768.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-24
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：200910237544.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-11
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：200910235339.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-09-30
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：200910092514.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-09-16
专利名称：一种基于准平面工艺制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法
专利号：200910243780.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-24
专利名称：一种实现亚10nm极短栅长线条的方法
专利号：200910243738.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-23
专利名称：适用于PMOS器件全硅化金属栅功函数的调节方法
专利号：200910243739.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-23
专利名称：一种制备极短栅长体硅围栅MOSFETs的方法
专利号：200910242770.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-16
专利名称：一种在锗衬底上采用铪硅氧氮介质制备金属－氧化物－半导体电容的方法
专利号：200910242767.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-16
专利名称：一种全硅化金属栅的制备方法
专利号：200910241686.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-12-02
专利名称：一种适用于PMOS器件金属栅功函数的调节方法
专利号：2.0091E+11
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-25
专利名称：一种实现源漏和栅分开硅化的方法
专利号：200910241538.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-25
专利名称：一种克服钼基金属栅叠层结构制备中钼与硅反应的方法
专利号：200910237091.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-11-04
专利名称：一种克服电子束正性光刻胶Zep 520不能掩蔽介质刻蚀的方法
专利号：200910236719.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2009-10-28
