专利
专利名称：一种改善晶片处理均匀性的喷淋头
专利号：201120544041.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-23
专利名称：一种以不同材料形成分区的静电吸盘
专利号：201120470232.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-23
专利名称：一种多分区气体输送装置
专利号：201110435571.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-12-23
专利名称：一种等离子体处理装置的载置台及对应等离子体处理装置
专利号：201110184641.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-07-04
专利名称：实现等离子体刻蚀腔体与阴极之间电连接的接地器件
专利号：201110144238.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-05-31
专利名称：温度可分区调控的静电吸盘
专利号：201120325891.X
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-09-01
专利名称：一种可调多区气体分布装置
专利号：201020636344.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-12-01
专利名称：一种用于静电吸盘的多通道射频滤波器
专利号：201010593682.3
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-12-17
专利名称：具有双接触面的静电吸盘
专利号：201020636343.4
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-12-01
专利名称：一种适用于匹配多频率的单一匹配网络、其构建方法以及使用该匹配网络的射频功率源系统
专利号：201010296641.8
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-09-29
专利名称：射频功率源系统及使用该射频功率源系统的等离子体反应腔室
专利号：201010230012.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-07-07
专利名称：一种刻蚀有机物层的等离子刻蚀方法
专利号：201010166393.5
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-04-29
专利名称：可切换的射频源系统
专利号：201010130648.2
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-03-23
专利名称：具备可切换偏置频率的等离子体处理腔及可切换匹配网络
专利号：200910055935.9
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2009-08-05
专利名称：容量的結合型プラズマチェンバー、シャワーヘッドの構造、製造方法並びに新たに再生リサイクルする方法
专利号：2012-000057
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2012-01-10
