专利

专利名称： 一种适用于等离子体处理机台的气体混合装置
专利号：100222479
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-28
专利名称：一种用于等离子处理装置的电场均匀调谐装备
专利号：100222445
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-28
专利名称：用于等离子体处理反应腔的射频屏蔽装置
专利号：100143519
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-28
专利名称：一种用于静电吸盘边缘保护的保护装置
专利号：100220128
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-10-26
专利名称：等离子体刻蚀方法
专利号：100141808
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-16
专利名称：等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法
专利号：100141812
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-11-16
专利名称：一种铜制程等离子刻蚀方法
专利号：100100571
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2011-01-07
专利名称：反应腔部件及应用该反应腔部件的等离子体处理装置
专利号：99206979
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-04-16
专利名称：带扩散解离区域的等离子体处理装置
专利号：99104622
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-02-12
专利名称：感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
专利号：10-2010-0037582
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-04-22
专利名称：感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
专利号：2010-99744
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-04-23
专利名称：一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法
专利号：99104620
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-02-12
专利名称：一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法
专利号：99104619
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-02-12
专利名称：一种含碳层的等离子刻蚀方法
专利号：99104618
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-02-12
专利名称：一种刻蚀含碳层的等离子刻蚀方法
专利号：99104617
专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
时间：2010-02-12
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