专利
专利名称：一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法
专利号：201310724004X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-12-24
专利名称：锗基石墨烯的抗菌用途
专利号：2013106480506
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-12-04
专利名称：应变结构及其制作方法
专利号：2013105832758
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-11-19
专利名称：一种隧穿场效应晶体管及其制备方法
专利号：2013105748245
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-11-15
专利名称：一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法
专利号：2013100953065
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-03-22
专利名称：一种集成不同厚度金属层以调节功函数的方法
专利号：201410018922.5
专利权人：南方科技大学
时间：2014-01-15
专利名称：一种后栅工艺中的栅极形成方法
专利号：201410018494.6
专利权人：南方科技大学
时间：2014-01-15
专利名称：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
专利号：201520575137.x
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2015-08-04
专利名称：SOI器件
专利号：201520311982.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2015-05-14
专利名称：Semiconductor Device and manufacturing method thereOF
专利号：14/814,003
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-04-27
专利名称：METHOD FOR ADJUSTING EQUIVALENT EFFECTIVE WORK FUNCTION OF METAL GATE
专利号：14/407,210
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2013-08-30
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：14/396,709
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-15
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURE THE SAME
专利号：14/391,889
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-08-15
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201510604676.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2015-09-21
专利名称：一种复合鳍、半导体器件及其形成方法
专利号：201510320225.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2015-06-11
