专利
专利名称：一种刻蚀方法
专利号：201510033046.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2015-01-22
专利名称：SOI器件及其制造方法
专利号：201510468284.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2015-08-03
专利名称：SOI器件及其制造方法
专利号：201510254364.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2015-05-14
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201410822744.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-12-24
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201410697284.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-11-26
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201410698552.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-11-26
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201410585002.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-10-27
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201510047719.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2015-01-29
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201410594666.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-10-29
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201410710028.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-11-28
专利名称：鳍式场效应晶体管、鳍及其制造方法
专利号：201410665088.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-11-19
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201410571346.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-10-23
专利名称：半导体衬底、器件及其制造方法
专利号：201410553521.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-10-17
专利名称：半导体衬底、器件及其制造方法
专利号：201410553512.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-10-17
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201410478987.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2014-09-18