专利
专利名称：基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法
专利号：CN201510772384.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2015-11-12
专利名称：自适应海拔高度的轮胎压力监测系统
专利号：CN201310269971.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-06-28
专利名称：一种抗EMI LIN 总线信号驱动器
专利号：CN201310732400.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-12-26
专利名称：一种电流模比较器
专利号：CN201310656921.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-12-06
专利名称：一种总线信号接收器
专利号：CN201310648281.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-12-04
专利名称：带有修调的高阶曲率补偿基准电压源
专利号：CN201310306045.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-07-19
专利名称：一种电流模驱动型的抗电磁干扰LIN 驱动器
专利号：CN201310296206.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-07-16
专利名称：一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法
专利号：CN201210533276.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-04-03
专利名称：一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
专利号：CN201210533291.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-03-13
专利名称：一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法
专利号：CN201210076796.X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-07-18
专利名称：单晶硅压力敏感膜片结构及其制作方法
专利号：201510539992.X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2015-08-31
专利名称：加速度计内嵌压力传感器的单硅片复合传感器结构及方法
专利号：201510056072.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2015-02-04
专利名称：(111)单硅片集成的三轴微机械加速度传感器及其制作方法
专利号：201410637531.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-11-13
专利名称：封装应力与温漂自补偿的双悬浮式力敏传感器芯片及制备方法
专利号：201310234503.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-06-13
专利名称：一种消除封装应力的悬浮式力敏传感器芯片及其制作方法
专利号：201210333367.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-11
