专利
专利名称：埋层腔体型SOI的制造方法
专利号：201310379990.x
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2015-08-14
专利名称：双极性功率器件及其制作方法
专利号：201510319322.7
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2015-06-11
专利名称：横向IGBT及其制作方法
专利号：201510271962.5
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2015-05-25
专利名称：MOSFET终端结构及其制造方法
专利号：201510256681.2
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2015-05-19
专利名称：超结半导体器件的终端结构及其制造方法
专利号：201510256691.6
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2015-05-19
专利名称：提高TMBS良率的工艺方法
专利号：US 14/573708
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-12-17
专利名称：复合腔体及其形成方法
专利号：PCT/CN2014/090326
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-11-05
专利名称：电容的调节方法
专利号：201410508364.0
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-09-28
专利名称：光刻机套片对准的方法
专利号：201410462658.4
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-09-12
专利名称：钨淀积工艺的背面压力的优化方法
专利号：201410441191.5
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-09-01
专利名称：深槽刻蚀设备的静电释放方法
专利号：201410424459.4
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-08-26
专利名称：与CMOS工艺兼容的大面积微桥电阻阵列谐振腔工艺
专利号：201410418073.2
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-08-22
专利名称：压接式IGBT的正面金属工艺
专利号：201410418398.0
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-08-22
专利名称：显影液筒及其气压报警装置
专利号：201410409338.2
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-08-19
专利名称：双极型晶体管的制备方法
专利号：201410339420.2
专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
时间：2014-07-17