专利
专利名称：A new method to monitor Poly TCR(Temperature Coefficient of Resistance )
专利号：201210085789.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-27
专利名称：A negative voltage level shifter
专利号：201210085901.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-27
专利名称：SRAM存储器及其形成方法
专利号：201210051716.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-01
专利名称：闪存错误检查及纠正修复方法
专利号：201210030422.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-02-10
专利名称：A Novel Erase Methodology To Improve Flash Memory Erase Speed&Window
专利号：201210191443.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-11
专利名称：一种flash存储阵列及操作方法
专利号：201410681725.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-11-24
专利名称：一种新的NOR闪存结构
专利号：201410855027.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-12-30
专利名称：Embedded flash的制作方法(1)
专利号：201410855225.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-12-30
专利名称：Embedded flash版图及制作方法(2)
专利号：201410854957.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-12-30
专利名称：一种flash存储阵列及操作方法
专利号：201410681725.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-11-24
专利名称：一种快速频率检测器
专利号：201410353764.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-07-23
专利名称：一种占空比校准电路
专利号：201410353784.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-07-23
专利名称：一种闪存操作方法及电路实现
专利号：201410255397.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-06-10
专利名称：一种在闪存低速读模式中减少电流功耗的方法
专利号：201410206549.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-05-16
专利名称：注入锁定多相位时钟生成器
专利号：201410161195.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-04-22
