专利
专利名称：A process to fabricate different characteristics of NMOS/PMOS Gate dielectrics
专利号：201210230761.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-07-04
专利名称：增加N+, P+ 光刻制程能力降低成本的新逻辑运算方法
专利号：201210261942.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-07-26
专利名称：增加制程能力解决光阻细线剥离的新逻辑运算方法
专利号：201210261784.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-07-26
专利名称：New method to improve PIP PPS capacitance
专利号：201210230745.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-07-04
专利名称：A process to fabricate strain non-volatile memory cell
专利号：201210124976.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-25
专利名称：A new strain Non-volatile memory
专利号：201210124977.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-25
专利名称：闪存单元结构以及闪存装置
专利号：201210061965.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-09
专利名称：a method to adjust the TC&resistance of MPOLY resistor
专利号：201210142950.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-09
专利名称：分栅式闪存结构制造方法以及分栅式闪存结构
专利号：201210061102.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-09
专利名称：High efficient redundancy method for serial BIST test
专利号：201210261796.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-07-26
专利名称：EFlash IP High Voltage Measurement Improvement With Stressing HVNMOS
专利号：201210143418.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-09
专利名称：A new EEPROM memory
专利号：201210143432.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-09
专利名称：一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法
专利号：201210081781.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-26
专利名称：利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法
专利号：201210081753.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-26
专利名称：一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法
专利号：201210081784.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-26
