专利

专利名称：一种高可靠性HEMT制作方法
专利号：201710086139.6
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2017-02-17
专利名称：一种高导热的功率器件封装结构和制作方法
专利号：201610709649.X
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2016-08-24
专利名称：一种高导热的功率器件封装
专利号：201610590550.2
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2016-07-26
专利名称：一种封装管壳体
专利号：201610531649.5
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2016-07-07
专利名称：一种LDMOS器件结构及制作方法
专利号：201610325621.6
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2016-05-17
专利名称：一种提高鲁棒性的RF-LDMOS器件结构
专利号：201610005753.0
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2016-01-07
专利名称：RF-LDMOS自对准的漏端场板结构及制作方法
专利号：201410395633.7
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2014-08-13
专利名称：一种用于功率晶体管的控制谐波阻抗的内匹配结构
专利号：201410425313.1
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2014-08-27
专利名称：一种用于功率晶体管的内匹配结构
专利号：201410425387.5
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2014-08-27
专利名称：一种低成本的大功率电子器件封装工艺
专利号：201410257016.0
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2014-06-11
专利名称：可调节工作频率的射频功率器件
专利号：201210347346.X
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2012-09-19
专利名称：用于RF-LDMOS器件的新型栅结构
专利号：2012102667877.0
专利权人：昆山华太电子技术有限公司
时间：2012-07-30
专利名称：射频LDMOS晶体管及其制作方法
专利号：201610235235.8
专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院
时间：2016-04-14
专利名称：射频LDMOS 器件
专利号：201510579882.6
专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院/电子科技大学
时间：2015-09-11
专利名称：一种射频LDMOS 器件及其制造方法
专利号：201510290535.1
专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院/电子科技大学
时间：2015-06-01
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