专利
专利名称：一种射频LDMOS 晶体管及其制造方法
专利号：201510290509.9
专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院/电子科技大学
时间：2015-06-01
专利名称：一种横向功率器件漂移区的制造方法
专利号：201310525073.8
专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院/电子科技大学
时间：2013-10-30
专利名称：一种横向高压超结功率半导体器件
专利号：201310421765.8
专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院/电子科技大学
时间：2013-09-16
专利名称：一种抗静电释放的LDMOS 器件
专利号：201310414067.5
专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院/电子科技大学
时间：2013-09-12
专利名称：一种具有结型场板的功率 LDMOS 器件
专利号：201310202668.X
专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院/电子科技大学
时间：2013-05-28
专利名称：一种集成电路芯片ESD 防护用MOS 器件
专利号：201310183169.0
专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院/电子科技大学
时间：2013-05-17
专利名称：一种具有ESD保护功能的nLDMOS器件
专利号：201210248776.6
专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院/电子科技大学
时间：2012-07-18
专利名称：高可靠SOI LDMOS功率器件
专利号：CN201210103676.4
专利名称：提高静电保护器件维持电压的方法
专利号：CN201210048205.8
专利名称：一种触发增强多晶二极管及其制作方法
专利号：CN201210039824.0
专利名称：静电防护器件及其制造工艺
专利号：CN201210102462.5
专利名称：IMPROVED LOW-IMPEDANCE TEST FIXTURE-
专利号：PCT/CN2014/083052
专利名称：RADIO-FREQUENCY ASYMMETRICAL LOW-IMPEDANCE TEST FIXTURE
专利号：PCT/CN2014/083056
专利名称：IMPROVED LOW-IMPEDANCE TEST FIXTURE
专利号：PCT/CN2014/083050
专利名称：一种具有双层屏蔽环的LDMOS器件及其制备方法
专利号：CN201410457683.3
