专利

专利名称：一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构
专利号：CN201420199261.6
专利权人：李赛
时间：2014-04-21
专利名称：射频非对称低阻抗测试夹具
专利号：CN201410102906.4
专利权人：丛密芳
时间：2014-03-19
专利名称：一种射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：US14/147,484
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-01-03
专利名称：射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：US14/099,171
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-12-06
专利名称：P型功率LDMOS 表面沟道器件提高面内均匀性的制造方法
专利号：US13/968,515
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-08-16
专利名称：RFLDMOS 中提高性能和可靠性的器件设计和工艺方法
专利号：US14/074,800
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-11-08
专利名称：RF LDMOS器件及制造方法
专利号：US13/964,678
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-08-12
专利名称：半导体器件及其制作方法
专利号：US13/968,687
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-08-16
专利名称：RF LDMOS器件及制造方法
专利号：US13/956,588
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-08-01
专利名称：阶梯形漂移区的低导通电阻LDMOS器件
专利号：US13/947,604
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2013-07-22
专利名称：形成硅化物的方法
专利号：US13/678,752
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-11-16
专利名称：射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201510315157.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2015-06-10
专利名称：RFLDMOS器件阵列版图中超深沟槽的排列方法
专利号：201410848305.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-12-29
专利名称：射频LDMOS器件及其制造方法
专利号：201410842286.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-12-29
专利名称：射频LDMOS器件的制造方法
专利号：201410837468.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2014-12-24
上一页