专利

专利名称:一种射频LDMOS器件及其制造方法
专利号:201310601844.7
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-11-25
专利名称:RFLDMOS器件的内匹配电容及制造方法
专利号:201310589126.2
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-11-20
专利名称:RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构及制造方法
专利号:201310589766.3
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-11-20
专利名称:RFLDMOS器件的制造方法
专利号:201310500029.1
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-10-22
专利名称:一种射频LDMOS器件及其制造方法
专利号:201310485697.1
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-10-17
专利名称:RFLDMOS中栅场板的制作方法
专利号:201310484710.1
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-10-16
专利名称:一种双拼电容及其制造方法
专利号:201310390259.7
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-08-30
专利名称:射频LDMOS器件及其制造方法
专利号:201310374024.9
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-08-23
专利名称:射频LDMOS器件及其制造方法
专利号:201310365073.6
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-08-20
专利名称:RFLDMOS器件及其制造方法
专利号:201310365072.1
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-08-20
专利名称:射频LDMOS器件的制造方法
专利号:201310365031.2
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-08-20
专利名称:一种射频LDMOS器件及其制造方法
专利号:201310003606.6
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-01-06
专利名称:RFLDMOS的制作工艺方法
专利号:201310282411.X
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2013-07-05
专利名称:P型LDMOS器件的沟槽及制作方法
专利号:201210544308.3
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2012-12-14
专利名称:RF LDMOS中改善漏电的方法
专利号:201210180119.2
专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间:2012-06-04
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