专利
专利名称：一种低压LDMOS器件的制造方法
专利号：201210174574.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-30
专利名称：半导体器件中双层保护层的制作工艺方法
专利号：201210170086.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-28
专利名称：RFLDMOS中形成厚氧化硅隔离层的制造方法
专利号：201210152488.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-16
专利名称：P型LDMOS表面沟道器件的制造工艺
专利号：201210153599.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-16
专利名称：LDMOS晶体管及制造方法
专利号：201210162451.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-18
专利名称：PLDMOS的制造方法
专利号：201210152696.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-16
专利名称：RFLDMOS工艺中的ESD器件及制造方法
专利号：201210152856.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-16
专利名称：高密度等离子体化学气相沉积设备腔体刻蚀清洗方法
专利号：201210144425.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-10
专利名称：一种多晶硅二极管静电保护结构
专利号：201210133332.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-28
专利名称：一种ESD电路保护结构
专利号：201210133340.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-28
专利名称：一种晶体管交流热载流子注入特性的测试结构
专利号：201210133459.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-04-28
专利名称：LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及制备方法
专利号：201210088429.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-03-30
专利名称：低源漏结电容的NMOS开关器件及其制造方法
专利号：201210013612.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-01-17
专利名称：与5伏CMOS工艺兼容的NLDMOS结构及其制法
专利号：201210008147.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-01-12
专利名称：一种NLDMOS器件及其制造方法
专利号：201210005120.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-01-09