专利

专利名称：RF LDMOS器件及制造方法
专利号：201210287203.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-13
专利名称：RF LDMOS器件及制造方法
专利号：201210287201.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-13
专利名称：改善硅片翘曲度的方法
专利号：201210287239.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-13
专利名称：RELDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法
专利号：201210281659.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-08-09
专利名称：阶梯形漂移区的低导通电阻LDMOS器件
专利号：201210264945.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-07-27
专利名称：深沟槽填充方法
专利号：201210251945.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-07-20
专利名称：用于功率器件厚金属刻蚀的方法
专利号：201210246239.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-07-16
专利名称：连续形成两道深度不同的孔或槽的工艺方法
专利号：201210216576.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-27
专利名称：RF LDMOS器件及制造方法
专利号：201210188969.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-08
专利名称：RFLDMOS中连接阱和基板的电连接结构及制造方法
专利号：201210187195.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-08
专利名称：一种LDMOS阵列的仿真方法
专利号：201210181570.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-05
专利名称：低压LDMOS的制造方法
专利号：201210182990.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-05
专利名称：RFLDMOS工艺中的ESD器件及其制造方法
专利号：201210181338.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-06-04
专利名称：高击穿电压P型LDMOS器件及制造方法
专利号：201210174551.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-30
专利名称：高压P型LDMOS器件及制造方法
专利号：201210174552.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-05-30
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