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专利
专利名称:
一种制备六方氮化硼的方法
专利号:
CN201410062801.0
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-03-09
专利名称:
一种基于石墨烯的芯片散热材料的制备方法
专利号:
CN201310753532
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-03-08
专利名称:
一种石墨烯晶畴的制备方法
专利号:
CN201310740407.3
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-03-07
专利名称:
石墨烯器件的制作方法
专利号:
CN201310713413
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-03-06
专利名称:
一种基于竖直石墨烯的散热材料的制备方法
专利号:
CN201310534290
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-03-05
专利名称:
石墨烯场效应管的制作方法
专利号:
CN201310533063
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-03-04
专利名称:
石墨烯的生长方法
专利号:
2013104965790
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-03-03
专利名称:
基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法
专利号:
CN201310352264
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-03-02
专利名称:
一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法
专利号:
CN201310090689
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-03-01
专利名称:
一种绝缘衬底上的电子束曝光图形化方法
专利号:
CN201310090689
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-02-28
专利名称:
一种基于多层石墨烯表面制备高K栅介质薄膜的方法
专利号:
CN201210385176
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-02-27
专利名称:
一种基于石墨烯表面制备高K栅介质薄膜的方法
专利号:
CN201210385259
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-02-26
专利名称:
直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法
专利号:
2013102535162
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-02-25
专利名称:
便于观察金属衬底上化学气相沉积石墨烯表面褶皱分布的方法
专利号:
2013102376842
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-02-24
专利名称:
增大化学气相沉积石墨烯单晶晶畴尺寸的方法
专利号:
2013102368920
专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间:2014-02-23
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