专利

专利名称：基于Cl2反应的 SiC衬底上制备石墨烯的方法
专利号：201210007240.8
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-03-24
专利名称：在4H/6H-SiC碳面外延生长晶圆级石墨烯的方法
专利号：201110293631.3
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-03-23
专利名称：在4H/6H-SiC硅面外延生长晶圆级石墨烯的方法
专利号：201110293632.8
专利权人：西安电子科技大学
时间：2014-03-22
专利名称：一种测量石墨烯与金属表面间距的方法
专利号：201410709646.7
专利权人：北京大学
时间：2014-03-21
专利名称：一种基于石墨烯无源热电偶的温度探测方法
专利号：201407099659.4
专利权人：北京大学
时间：2014-03-20
专利名称：一种在石墨或石墨烯表面加工纳米尺度图形的方法
专利号：2011110153728.4
专利权人：北京大学
时间：2014-03-19
专利名称：一种二氧化硅图形加工的方法
专利号：201210113193.2
专利权人：北京大学
时间：2014-03-18
专利名称：基于石墨烯的二极管器件及其逻辑单元的结构
专利号：201210153652.X
专利权人：北京大学
时间：2014-03-17
专利名称：一种耐腐蚀电极及其制备方法和应用
专利号：201310126329.8
专利权人：北京大学
时间：2014-03-16
专利名称：在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用
专利号：201410145622.3
专利权人：北京大学
时间：2014-03-15
专利名称：h-BN上石墨烯纳米带的制备方法
专利号：2015100986759
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-03-14
专利名称：一种石墨烯闪存存储器的制备方法
专利号：CN201410466181
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-03-13
专利名称：一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法
专利号：CN201410189194
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-03-12
专利名称：一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法
专利号：CN201410189193
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-03-11
专利名称：一种基于石墨烯场效应管的微区加热及方法
专利号：CN201410114348
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2014-03-10
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