专利

专利名称：可连续生产的区熔炉装置及其工艺控制方法
专利号：ZL201310399991.0
专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
时间：2013-07-12
专利名称：区熔炉多晶棒保温装置及其保温方法
专利号：ZL201310361470.6
专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
时间：2013-07-11
专利名称：一种区熔炉籽晶导向装置
专利号：ZL201210349314.3
专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
时间：2013-07-10
专利名称：一种开门式晶体生长设备的自动锁紧机构
专利号：ZL201210111583.6
专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
时间：2013-07-09
专利名称：一种用于正压晶体生长炉的操作及观察窗口
专利号：ZL201210438699.0
专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
时间：2013-07-08
专利名称：一种用于区熔单晶炉高频电源的闭式冷却水循环系统
专利号：ZL201210409910.6
专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
时间：2013-07-07
专利名称：具备水冷却功能的区熔炉上轴
专利号：ZL201210349312.4
专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
时间：2013-07-06
专利名称：区熔单晶炉下轴运动机构
专利号：ZL201210349359.0
专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
时间：2013-07-05
专利名称：用于拉晶设备的可调式多晶料夹持装置
专利号：ZL201210081835.5
专利权人：杭州慧翔电液技术开发有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
时间：2013-07-04
专利名称：一种改善区熔单晶炉热场的反射环提升装置
专利号：ZL201210050673.9
专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
时间：2013-07-03
专利名称：3300伏平面非穿通型绝缘栅极晶体管芯片
专利号：ZL 201120255381.X
专利权人：天津中环半导体股份有限公司
时间：2013-07-02
专利名称：3300伏平面非穿通型绝缘栅极晶体管芯片及制造工艺
专利号：201110202322.0
专利权人：天津中环半导体股份有限公司
时间：2013-07-01
专利名称：IGBT单晶片背面真空退火工艺
专利号：201210430194.X
专利权人：天津中环半导体股份有限公司
时间：2013-06-30
专利名称：一种MOS场控晶闸管
专利号：201210098651.X
专利权人：电子科技大学/电子科技大学广东电子信息工程研究院
时间：2013-06-29
专利名称：一种具有低导通压降的P-i-N二极管
专利号：201210191065.X
专利权人：电子科技大学/电子科技大学广东电子信息工程研究院
时间：2013-06-28
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