专利
专利名称：一种采用挤压方式去除IGBT用硅晶圆抛光片边缘氧化膜的方法
专利号：ZL201210508373.0
专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
时间：2013-05-13
专利名称：一种在单晶硅晶圆上实现高速率沉积SiO2薄膜的背封工艺
专利号：ZL201210508385.3
专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
时间：2013-05-12
专利名称：一种低粗糙度硅片碱腐蚀工艺
专利号：ZL201110420553.9
专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
时间：2013-05-11
专利名称：采用划磨方式去除IGBT用抛光片晶圆边缘氧化膜的方法
专利号：ZL201110420554.3
专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
时间：2013-05-10
专利名称：IGBT用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺
专利号：ZL201110420559.6
专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
时间：2013-05-09
专利名称：一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置
专利号：ZL201420578291.8
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-05-08
专利名称：区熔热场线圈冷却水压力及流量测试台
专利号：ZL201420438606.9
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-05-07
专利名称：磨片机游星片的改良构造
专利号：ZL201320582446.0
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-05-06
专利名称：区熔热场线圈监测台
专利号：ZL201320532595.6
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-05-05
专利名称：一种多晶棒料车削夹具
专利号：ZL201320532587.1
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-05-04
专利名称：一种用于多晶硅区熔的加热线圈
专利号：ZL201220642788.2
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-05-03
专利名称：一种用于区熔法制备硅单晶的加热线圈
专利号：ZL201220642790.X
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-05-02
专利名称：一种多晶硅真空区熔线圈
专利号：ZL201220641842.1
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-05-01
专利名称：一种用于硅单晶制备的区熔线圈
专利号：ZL201220640902.8
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-30
专利名称：一种可加工非标硅片的倒角机
专利号：ZL201220642832.X
专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
时间：2013-04-29
