专利
专利名称：功率半导体器件及其制造方法
专利号：201310099590.3
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2013-03-26
专利名称：封装结构及封装工艺
专利号：201210499366.9
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2012-11-27
专利名称：N沟道耗尽型功率MOSFET器件及制造方法
专利号：201210479867.0
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2012-11-21
专利名称：一种紧凑型智能功率驱动模块及其封装方法
专利号：201210452354.0
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2012-11-12
专利名称：半导体塑封上料治具及上料方法
专利号：201210325436.9
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2012-09-05
专利名称：耗尽型VDMOS及其制造方法
专利号：201210271677.X
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2012-07-31
专利名称：一种改善恢复软度特性的二极管及其制造方法
专利号：201210134774.4
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2012-05-03
专利名称：具有场截止缓冲层的IGBT器件及制造方法
专利号：201210506969.7
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2012-11-29
专利名称：保证全包封产品塑封体厚度的夹具、装置及方法
专利号：201210466477.X
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2012-11-16
专利名称：激光打标耐压测试一体机和激光打标耐压测试方法
专利号：201210297097.8
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2012-08-20
专利名称：芯片封装系统、方法、注入装置及冲压与注入联动装置
专利号：201210294332.6
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2012-08-17
专利名称：一种功率器件终端环的制造方法及其结构
专利号：201110457031.6
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2011-12-31
专利名称：高压超结MOSFET结构及P型漂移区形成方法
专利号：201110444663.9
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2011-12-27
专利名称：BCD工艺中的双向高压MOS管及其制造方法
专利号：201110420263.4
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2011-12-15
专利名称：BCD工艺中的高压MOS晶体管结构及其制造方法
专利号：201110231689.5
专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
时间：2011-08-12