专利
专利名称：一种三等分功率分配器
专利号：201310571333.5
专利权人：沈阳中科微电子有限公司
时间：2013-11-13
专利名称：一种能够抑制温漂的线性化偏置电路
专利号：201310566747.9
专利权人：沈阳中科微电子有限公司
时间：2013-11-13
专利名称：一种射频功率放大器谐波抑制组合电路
专利号：201310039803.3
专利权人：沈阳中科微电子有限公司
时间：2013-01-26
专利名称：一种用于通信基站的收发模块
专利号：201110229831.2
专利权人：沈阳中科微电子有限公司
时间：2011-04-21
专利名称：A SLEEP MODE CIRCUIT AND A METHOD FOR PLACING A CIRCUIT INTO SLEEP MODE
专利号：13/911,087
专利权人：博通集成电路（上海）有限公司
时间：2013-06-06
专利名称：A CIRCUIT AND A METHOD FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION
专利号：13/911,093
专利权人：博通集成电路（上海）有限公司
时间：2013-06-06
专利名称：休眠模式电路和使电路进入休眠模式的方法
专利号：2013101674011.0
专利权人：博通集成电路（上海）有限公司
时间：2013-05-08
专利名称：静电放电保护电路及方法
专利号：2013101673979.0
专利权人：博通集成电路（上海）有限公司
时间：2013-05-08
专利名称：低集电极/基极电容SiGe异质结双极晶体管结构及制造方法
专利号：13/280,226
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-24
专利名称：一种高锗浓度的锗硅外延方法
专利号：13/288,869
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-03
专利名称：锗硅异质结双极晶体管的制造方法
专利号：13/229,570
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-09
专利名称：锗硅异质结双极晶体管
专利号：13/239,250
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-21
专利名称：锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件及制造方法
专利号：13/330,458
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-19
专利名称：BiCMOS工艺中的PN结变容器及制造方法
专利号：13/315,116
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-08
专利名称：赝埋层及制造方法、深孔接触及三极管
专利号：13/227,387
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-07
