专利
专利名称：双栅晶体管及其制造方法
专利号：201110282916.7
专利权人：SMIC(BJ)
时间：2011-09-22
专利名称：DOUBLE GATE TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
专利号：13/324,945
专利权人：SMIC(BJ)
时间：2011-12-14
专利名称：金属氧化物半导体管及其制作方法
专利号：201110377708.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-11-24
专利名称：接触通孔刻蚀方法
专利号：201110299840.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-10-08
专利名称：多栅极场效应晶体管的制造方法
专利号：201110301132.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-09-28
专利名称：一种互补结型场效应晶体管c-JFET器件及其后栅极的制造方法
专利号：201110459296.X
专利权人：SMIC(BJ)
时间：2011-12-31
专利名称：刻蚀控制方法
专利号：201110315498.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-10-17
专利名称：Reaction apparatus for processiong wafer, electrostatic chuck and wafer temperature control method
专利号：13/351,741
专利权人：SMIC(BJ)
时间：2012-01-17
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201110351732.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-11-09
专利名称：结型场效应晶体管及其制造方法
专利号：201110459177.4
专利权人：SMIC(BJ)
时间：2011-12-31
专利名称：化学机械研磨装置及系统
专利号：201110357979.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-11-11
专利名称：导电插塞及形成方法
专利号：201110366073.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-11-17
专利名称：降低层间介质层介电常数的方法
专利号：201110340496.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-11-01
专利名称：制作半导体器件的方法
专利号：201110427771.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-12-19
专利名称：一种金属化前电介质层制作方法
专利号：201110366759.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2011-11-18
