专利
专利名称：占空比调整电路、双端转单端电路及振荡器
专利号：201210226676.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2012-07-02
专利名称：参考电流源及参考电流产生电路
专利号：201210226680.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2012-07-02
专利名称：振荡器
专利号：201210226459.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2012-07-02
专利名称：半导体检测结构及形成方法
专利号：201210332980.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2012-09-10
专利名称：一种用于高k金属栅极NMOS晶体管的测试装置和测试方法
专利号：201210243866.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2012-07-13
专利名称：一种晶体管阈值电压的测试电路
专利号：201210258616.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2012-07-24
专利名称：互连电迁移的测试结构
专利号：201210328711.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2012-09-06
专利名称：具有接地屏蔽结构的半导体器件
专利号：201210425591.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2012-10-30
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROUND SHIELE STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：14/028,733
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-09-17
专利名称：半导体测试结构、其测试方法及其制造方法
专利号：201210526395.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2012-12-07
专利名称：半导体测试装置及测试方法
专利号：201310024112.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-01-22
专利名称：静电放电保护电路
专利号：201310011745.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-01-11
专利名称：电编程熔丝结构
专利号：201310007165.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-01-08
专利名称：检测晶体管重叠电容的方法、消除晶体管重叠电容的方法
专利号：201310006436.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-01-08
专利名称：电熔丝结构及其形成方法
专利号：201310080500.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2013-03-13
