专利

专利名称：半导体衬底的承载台、离子注入设备及工艺
专利号：201610608476.2
专利权人：华力微电子
时间：2016-07-29
专利名称：一种3D集成电路结构及其制造方法
专利号：201610319141.9
专利权人：华力微电子
时间：2016-05-16
专利名称：控制掩膜版脱气雾状缺陷的方法
专利号：201610585192.6
专利权人：华力微电子
时间：2016-07-22
专利名称：改善HCD氮化硅片均匀性的方法
专利号：201610107296.6
专利权人：华力微电子
时间：2016-02-26
专利名称：半导体器件制备方法以及半导体器件
专利号：201610107952.2
专利权人：华力微电子
时间：2016-02-26
专利名称：一种基于 MEEF 的 OPC 验证方法
专利号：201610250573.9
专利权人：华力微电子
时间：2016-04-21
专利名称：一种晶圆托环及具有该晶圆托环的反应腔室
专利号：201610107767.3
专利权人：华力微电子
时间：2016-02-26
专利名称：一种减少切口的制造方法
专利号：201610107391.6
专利权人：华力微电子
时间：2016-02-26
专利名称：一种自偏臵带隙基准源电路
专利号：201610107707.1
专利权人：华力微电子
时间：2016-02-26
专利名称：测试金属线的电迁移结构
专利号：201610212826.3
专利权人：华力微电子
时间：2016-04-07
专利名称：消除 CMOS 图像传感器浅沟槽隔离诱导暗电流的方法
专利号：201610212543.9
专利权人：华力微电子
时间：2016-04-07
专利名称：一种图像坏点检测方法和装置
专利号：201710188591.3
专利权人：福州瑞芯微电子股份有限公司
时间：2017-03-27
专利名称：一种视频元信息自动补全整理的方法和装置
专利号：201710145752.0
专利权人：福州瑞芯微电子股份有限公司
时间：2017-03-13
专利名称：一种快速烧录数据至EXT分区的方法和装置
专利号：201710074013.7
专利权人：福州瑞芯微电子股份有限公司
时间：2017-02-10
专利名称：数模混合电路、SoC芯片及模拟电路修调方法
专利号：201610956856.5
专利权人：福州瑞芯微电子股份有限公司
时间：2016-09-07
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