专利
专利名称：双结构接触孔同步刻蚀工艺
专利号：201610107729.8
专利名称：镍金属硅化物的制备方法
专利号：201610107726.4
专利名称：用于避免HKMG工艺中的IL重复生长的方法
专利号：201611170236.5
专利名称：用于金属栅极的制造工艺
专利号：201611170270.2
专利名称：用于FINFET间隔物成型的集成工艺
专利号：201611167849.3
专利名称：用于金属栅极的制造技术
专利号：201611169046.1
专利名称：高压低预算高K后退火工艺
专利号：201611167792.7
专利名称：高压低预算高K后退火工艺
专利号：201611168041.7
专利名称：光刻版、互连线图形的光刻方法及互连线的制备方法
专利号：201610370155.3
专利名称：一种改善晶片边缘缺陷的方法
专利号：201610703068.5
专利名称：一种光刻工艺优化方法
专利号：201610703034.6
专利名称：防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法
专利号：201610703032.7
专利名称：一种离子注入层图形线宽尺寸的形成方法
专利号：201610498312.9
专利名称：高K金属栅器件及其制备方法
专利号：201610367945.6
专利名称：离子注入设备及监控方法
专利号：201610608697.X
