专利

专利名称：一种前金属介电质层应力调配方法
专利号：201210109586.6
专利权人：
时间：2012-04-09
专利名称：一种防止磷硅酸盐玻璃或硼磷硅酸盐玻璃薄膜吸水的方法
专利号：201210100763.4
专利权人：
时间：2012-04-09
专利名称：一种防止硼掺杂层释气的方法
专利号：201210098248.7
专利权人：
时间：2012-04-06
专利名称：一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法
专利号：201210110798.6
专利权人：
时间：2012-04-07
专利名称：一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法
专利号：201210110799.0
专利权人：
时间：2012-04-07
专利名称：一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法
专利号：201210110866.9
专利权人：
时间：2012-04-07
专利名称：一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法
专利号：201210110868.8
专利权人：
时间：2012-04-07
专利名称：多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法
专利号：201210116158.6
专利权人：
时间：2012-04-07
专利名称：多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法
专利号：201210116159.0
专利权人：
时间：2012-04-07
专利名称：多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法
专利号：201210109578.1
专利权人：
时间：2012-04-07
专利名称：多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法
专利号：201210109579.6
专利权人：
时间：2012-04-07
专利名称：多层金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法
专利号：201210109591.7
专利权人：
时间：2012-04-07
专利名称：多层金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法
专利号：201210116160.3
专利权人：
时间：2012-04-07
专利名称：一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
专利号：201210113715.9
专利权人：
时间：2012-04-17
专利名称：一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
专利号：201210113716.3
专利权人：
时间：2012-04-17
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