专利

专利名称：一种化学机械研磨过程中研磨垫的温度控制系统
专利号：201110138152.4
专利权人：
时间：2011-05-26
专利名称：一种双大马士革工艺中通孔填充的方法
专利号：201110150744.8
专利权人：
时间：2011-06-07
专利名称：一种提高铜互连可靠性的表面处理方法
专利号：201110150700.5
专利权人：
时间：2011-06-07
专利名称：离子注入调整隔离氧化物应力的浅沟槽隔离结构制备方法
专利号：201110133619.6
专利权人：
时间：2011-05-23
专利名称：带有多晶牺牲衬垫层的浅沟槽隔离结构的制备方法
专利号：201110138151.X
专利权人：
时间：2011-05-26
专利名称：埋入式二次氮化硅衬垫的浅槽隔离结构的制备方法
专利号：201110138150.5
专利权人：
时间：2011-05-26
专利名称：一种增强应力记忆效应的栅多晶硅刻蚀方法
专利号：201110110368.X
专利权人：
时间：2011-04-29
专利名称：在浅沟槽上形成接触孔以提高半导体器件性能的方法
专利号：201110110384.9
专利权人：
时间：2011-04-29
专利名称：用于提高半导体器件性能的在浅沟槽上形成接触孔的方法
专利号：201110123709.7
专利权人：
时间：2011-05-13
专利名称：改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法
专利号：201110078473.X
专利权人：
时间：2011-03-30
专利名称：一种减小半导体器件中交叠电容的方法
专利号：201110078449.6
专利权人：
时间：2011-03-30
专利名称：利用栅多晶硅提高晶体管载流子迁移率的方法
专利号：201110078448.1
专利权人：
时间：2011-03-30
专利名称：一种大功率IGBT模块焊接装置
专利号：201410168459.2
专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
时间：2012-03-18
专利名称：一种IGBT衬板结构及其制作方法
专利号：201410229870.6
专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
时间：2012-03-17
专利名称：一种IGBT模块封装焊接结构
专利号：201410251618.5
专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
时间：2012-03-16
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