专利
专利名称：制备具有多厚度硅化物掩模层的半导体器件的方法
专利号：201110266445.0
专利名称：集成深结深器件和浅结深器件的方法
专利号：201110265262.7
专利名称：制备多厚度的多晶硅栅极的方法
专利号：201110265256.1
专利名称：一种用于分类回收废弃研磨液及去离子水的装置及方法
专利号：201110123661.X
专利名称：一种监测由于湿法刻蚀造成有源区损伤的测试方法
专利号：201110160315.9
专利名称：一种减少光刻胶中毒的通孔介电阻挡层的制作方法
专利号：201110123664.3
专利名称：通过湿法刻蚀调节栅极侧壁层特征尺寸的工艺
专利号：201110110334.0
专利名称：一种无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法
专利号：2011101336177.0
专利名称：一种介质层刻蚀方法
专利号：201110138171.7
专利名称：一种用于功率器件在线控制沟槽剩余氧化硅厚度的方法
专利号：201110110361.8
专利名称：一种超厚顶层金属的金属硬掩模双大马士革工艺
专利号：201110123665.8
专利名称：一种超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法
专利号：201110160353.4
专利名称：调节金属研磨速率并改善研磨过程中产生的缺陷的方法
专利号：201110110366.0
专利名称：一种预防在热处理时硅消耗的方法
专利号：201110123699.7
专利名称：一种提高半导体器件应力记忆技术效果的方法
专利号：201110123710.X
