专利

专利名称：一种晶片传输疲劳度测试的方法
专利号：201110241145.7
专利权人：中科信
时间：2011-08-22
专利名称：一种用于宽束离子注入机的引出电极系统
专利号：201110241161.6
专利权人：中科信
时间：2011-08-22
专利名称：一种实时检测离子束剖面密度分布和离子束均匀性分布的装置
专利号：201110186471.2
专利权人：中科信
时间：2011-07-05
专利名称：一种提高靶室晶片传输效率的方法
专利号：201110186452.X
专利权人：中科信
时间：2011-07-05
专利名称：一种用于离子淋浴器的灯丝装夹和供电结构
专利号：201110186495.8
专利权人：中科信
时间：2011-07-05
专利名称：一种宽带离子束传输方法及离子注入机
专利号：201210118487.4
专利权人：中科信
时间：2012-04-20
专利名称：宽带离子束分析器
专利号：201110354972.7
专利权人：中科信
时间：2011-11-10
专利名称：一种宽带离子束传输方法及离子注入机
专利号：US 9，263，230 B2
专利权人：中科信
时间：2012-08-06
专利名称：宽带离子束分析器
专利号：US 9，123，522 B2
专利权人：中科信
时间：2012-11-02
专利名称：Method for manufacturing a gate-control diode semiconductor memory device
专利号：US 8426271
专利权人：复旦大学
时间：2014-08-18
专利名称：一种低介电常数介质刻蚀与铜互连的集成方法
专利号：201410433978.7
专利权人：复旦大学
时间：2014-08-17
专利名称：一种半浮栅器件及其制造方法
专利号：201310158971.4
专利权人：复旦大学
时间：2014-08-16
专利名称：一种基于金属-绝缘体-半导体结构的量子效应器件
专利号：201110177230.1
专利权人：复旦大学
时间：2014-08-15
专利名称：一种PLC光器件的制造方法
专利号：201110080065.8
专利权人：复旦大学
时间：2014-08-14
专利名称：一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件
专利号：201110177163.3
专利权人：复旦大学
时间：2014-08-13
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