专利

专利名称：低介电常数ZIF-8材料薄膜及其制备方法、用途
专利号：201410801923.7
专利权人：苏州大学
时间：2014-06-24
专利名称：集成电路用低介电常数薄膜层的制备工艺
专利号：PCT/CN2014/080502
专利权人：苏州大学
时间：2014-06-23
专利名称：一种阵列孔低介电材料的制备方法
专利号：PCT/CN2012/086635
专利权人：苏州大学
时间：2012-12-14
专利名称：低介电常数薄膜层的制备方法
专利号：201410598550.8
专利权人：苏州大学
时间：2014-10-30
专利名称：一种掺杂多孔SiCOH低介电常数薄膜的制备方法
专利号：201410315333.3
专利权人：苏州大学
时间：2014-07-03
专利名称：多相低介电常数材料层的制造方法
专利号：201410252749.5
专利权人：苏州大学
时间：2014-06-09
专利名称：用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置
专利号：201420164948.6
专利权人：苏州大学
时间：2014-04-08
专利名称：用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置
专利号：201410137157.9
专利权人：苏州大学
时间：2014-04-08
专利名称：微电子芯片用低介电常数薄膜层的制造工艺
专利号：201410136439.7
专利权人：苏州大学
时间：2014-04-08
专利名称：集成电路用低介电常数薄膜层的制备工艺
专利号：201410136480.4
专利权人：苏州大学
时间：2014-04-08
专利名称：多孔低介电常数薄膜材料及其制备方法
专利号：201310533755.3
专利权人：苏州大学
时间：2013-10-30
专利名称：低表面孔隙低介电常数薄膜材料的制备方法
专利号：201310529073.5
专利权人：苏州大学
时间：2013-10-30
专利名称：一种低介电材料的表面改性工艺
专利号：201210237331.8
专利权人：苏州大学
时间：2012-07-10
专利名称：一种阵列孔低介电材料的制备方法
专利号：201210237364.2
专利权人：苏州大学
时间：2012-07-11
专利名称：烷基硅氧烷取代的马来酰亚胺的合成方法
专利号：201410844650.4
专利权人：上海爱默金山药业有限公司
时间：2014-01-16
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