专利

专利名称：半导体器件的制作方法
专利号：PCT/CN2012/085396
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2012-11-28
专利名称：一种高压集成电路及其制造方法
专利号：201310159369.2
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2013-05-02
专利名称：一种半导体厚金属结构制作方法
专利号：201110311498.X
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2011-10-14
专利名称：一种BJT以及BiCMOS的制作方法
专利号：201110224765.X
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2011-08-05
专利名称：半导体器件和半导体埋层的制造方法
专利号：PCT/CN2011/079261
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
时间：2011-09-01
专利名称：一种功率MOS器件结构
专利号：201210142749.0
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2012-05-10
专利名称：金属氧化层半导体场效应晶体管
专利号：201210045076.7
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2012-02-27
专利名称：横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
专利号：201110453969.0
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2011-12-30
专利名称：LDMOS器件制造方法
专利号：201110228625.X
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
时间：2011-08-10
专利名称：与MOS管集成的垂直型双极结型晶体管及其制备方法
专利号：201110151714.9
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
时间：2011-06-08
专利名称：半导体器件及其栅介质层制造方法
专利号：201110081949.5
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
时间：2011-04-01
专利名称：高压功率LDMOS器件及其制造方法
专利号：201110078650.4
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
时间：2011-03-30
专利名称：CMOS器件及其制造方法
专利号：201010593032.9
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
时间：2010-12-16
专利名称：LDMOS器件及其制造方法
专利号：ZL201010269279.5
专利权人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
时间：2010-08-31
专利名称：一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法
专利号：ZL201310284344.5
专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
时间：2013-07-08
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