专利

专利名称：P++衬底上P-层硅外延片的制备方法
专利号：ZL201310152949.9
专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
时间：2013-04-27
专利名称：一种改善硅外延片翘曲度的方法
专利号：ZL201210202949
专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
时间：2012-06-19
专利名称：一种硅外延层过渡区的无损检测方法
专利号：PCT/CN2012/071191
专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
时间：2012-02-16
专利名称：一种硅外延设备的进气口装置
专利号：ZL201120479615.9
专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
时间：2011-11-28
专利名称：硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法
专利号：ZL201110375564.X
专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
时间：2011-11-23
专利名称：硅外延片背面硅渣的处理方法
专利号：ZL201010565429.7
专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
时间：2010-11-30
专利名称：反型外延片制备方法
专利号：ZL201010120709.7
专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
时间：2010-03-05
专利名称：氢气自动供应集成控制系统
专利号：ZL201510897134.2
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2015-12-08
专利名称：适于8英寸硅外延工艺系统的三氯氢硅供应装置
专利号：ZL201510822734.2
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2015-11-24
专利名称：平板基座支撑装置
专利号：ZL201520944020.4
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2015-11-24
专利名称：一种新型外延炉石英件清洗机
专利号：ZL201520922410.1
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2015-11-18
专利名称：一种便于清洁的ASM2000PLUS外延机台后法兰装置
专利号：ZL201520955381.9
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2015-11-25
专利名称：一种采用变温变掺杂流量的双极型晶体管外延片制造方法
专利号：ZL20151074702.9
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2015-11-05
专利名称：一种大功率PIN器件硅外延片的制造方法
专利号：ZL201410643082.1
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2014-11-13
专利名称：一种8“肖特基管用硅外延片的制造方法
专利号：ZL201410375368.6
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2014-07-31
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