专利

专利名称：一种桶式基座面芯偏差检测仪
专利号：ZL201420116773.X
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2014-03-18
专利名称：一种用于平板硅外延炉的冷却水分配板
专利号：ZL201120361071.6
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2011-09-26
专利名称：毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法
专利号：ZL201110293931.1
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2011-10-08
专利名称：低压TVS用硅外延片的制造方法
专利号：ZL201110286701.2
专利权人：南京国盛电子有限公司
时间：2011-09-26
专利名称：大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺
专利号：ZL201410004363.2
专利权人：浙江大学
时间：2014-01-02
专利名称：一种具有高金属吸杂能力的n/n+外延片及其制备方法
专利号：ZL201310032160.X
专利权人：浙江大学
时间：2013-01-25
专利名称：一种消除掺氮直拉硅单晶中原生氧沉淀的方法
专利号：ZL201210005592.7
专利权人：浙江大学
时间：2012-01-09
专利名称：一种高掺氮的硅片及其快速掺氮的方法
专利号：ZL20111005617.5
专利权人：浙江大学
时间：2011-03-09
专利名称：一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法
专利号：ZL201210011355.1
专利权人：浙江大学
时间：2012-01-13
专利名称：一种显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法
专利号：ZL201210253136.4
专利权人：浙江大学
时间：2012-07-20
专利名称：一种显示重掺N型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液
专利号：ZL201110342033.0
专利权人：浙江大学
时间：2011-11-02
专利名称：显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液及应用
专利号：ZL201110366137.5
专利权人：浙江大学
时间：2011-11-17
专利名称：Process of internal gettering for Czochralski silicon
专利号：US8466043B2
专利权人：浙江大学
时间：2012-03-16
专利名称：一种硅片外吸杂方法
专利号：ZL201010584771.1
专利权人：浙江大学
时间：2010-12-13
专利名称：一种硅片的硼铝共吸杂方法
专利号：ZL201010283048.X
专利权人：浙江大学
时间：2010-09-16
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