专利

专利名称：蓝宝石衬底材料CMP抛光液的制备方法
专利号：201010232141.8 
专利权人：天津晶岭微电子材料有限公司
时间：2011-06-08
专利名称：用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法
专利号：201010231453.7 
专利权人：天津晶岭微电子材料有限公司
时间：2011-06-07
专利名称：磷酸氧钛钾晶体CMP抛光液的制备方法
专利号：201010231938.6 
专利权人：天津晶岭微电子材料有限公司
时间：2011-06-06
专利名称：极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法
专利号：201010231732.3 
专利权人：天津晶岭微电子材料有限公司
时间：2011-06-05
专利名称：硬盘磷化铟基板CMP抛光液的制备方法
专利号：201010231656.6 
专利权人：天津晶岭微电子材料有限公司
时间：2011-06-04
专利名称：钽化学机械抛光液的制备方法
专利号：201010231454.1 
专利权人：天津晶岭微电子材料有限公司
时间：2011-06-03
专利名称：超大规模集成电路铝布线抛光液的制备方法
专利号：201010231821.8 
专利权人：天津晶岭微电子材料有限公司
时间：2011-06-02
专利名称：超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法
专利号：201010231734.2 
专利权人：天津晶岭微电子材料有限公司
时间：2011-06-01
专利名称：硅片清洗剂的制备方法
专利号：201010231678.2 
专利权人：天津晶岭微电子材料有限公司
时间：2011-05-31
专利名称：ULSI铜材料抛光后表面清洗方法
专利号：PCT/CN2010/080474
专利权人：河北工业大学
时间：2011-05-30
专利名称：超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法
专利号：PCT/CN2010/080473
专利权人：河北工业大学
时间：2011-05-29
专利名称：超大规模集成电路钨插塞CMP后表面洁净方法
专利号：PCT/CN2010/080472
专利权人：河北工业大学
时间：2011-05-28
专利名称：超大规模集成电路铝布线抛光后晶片表面洁净处理方法
专利号：PCT/CN2010/080471
专利权人：河北工业大学
时间：2011-05-27
专利名称：极大规模集成电路铜布线碱性抛光后防氧化方法
专利号：PCT/CN2010/080469
专利权人：河北工业大学
时间：2011-05-26
专利名称：超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法
专利号：PCT/CN2010/080468
专利权人：河北工业大学
时间：2011-05-25
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