专利
专利名称：RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY WITH ELECTRIC-FIELD STRENGTHENED LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号：13/457035
专利名称：一种镧基高介电常数薄膜材料及其制备方法
专利号：201010556701.5
专利名称：一种电场诱导的在石墨烯表面原子层淀积高 k栅介质的方法
专利号：201010545155.5
专利名称：一种采用原子层淀积AlN/高 k 栅介质双层结构的方法
专利号：201010503879.3
专利名称：一种改进的 NiO 基电阻式随机存储器及其制备方法
专利号：201010508181.0
专利名称：一种具有吸氧钛盖帽层的砷化镓 MOS 器件
专利号：201010511487.1
专利名称：基于氧化铌薄膜的电阻随机存储器及其制备方法
专利号：200910196301.5
专利名称：一种禁带宽度连续可调的高介电常数薄膜材料及其制备方法
专利号：200910197206.7
专利名称：以部分金属栅作为高介电常数栅介质刻蚀阻挡层的结构及集成方法
专利号：200910196302.X
专利名称：氮官能团取代烷氧基稀土金属镧和钆配合物及其合成方法与应用
专利号：201110265488.7
专利权人：南京航空航天大学
时间：2012-05-02
专利名称：3,5-二取代吡唑和六甲基二硅氮烷镧(钆)配合物及其合成方法与应用
专利号：201110265493.8
专利权人：南京航空航天大学
时间：2011-09-08
专利名称：官能化烷氧基稀土金属镧配合物及其合成方法与应用
专利号：201110089702.8
专利权人：南京航空航天大学
时间：2011-04-11
专利名称：酰胺钆配合物的合成方法及其在制备高 K 材料前驱体的应用
专利号：201010544091.7
专利权人：南京航空航天大学
时间：2010-11-15
专利名称：酰胺镧配合物的合成方法及其在制备高 K 材料前驱体的应用
专利号：201010543990.5
专利权人：南京航空航天大学
时间：2010-11-15
专利名称：一种超声辅助的合成三[N,N-双(三甲基硅基)胺]镧的方法
专利号：201010118746.4
专利权人：南京航空航天大学
时间：2010-03-05
