专利

专利名称：相变存储结构及制作方法
专利号：ZL 201310539734.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-11-04
专利名称：一种限制结构相变存储器及其制作方法
专利号：ZL 201210328341.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-06
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：ZL 201110379131.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-11-25
专利名称：一种基于相变存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统
专利号：ZL 201210559664.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-20
专利名称：相变存储器制造方法
专利号：ZL 201010571432.X
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-12-02
专利名称：相变存储单元及其制备方法
专利号：ZL 201310306025.X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-07-19
专利名称：基于单存储器的嵌入式设备的启动系统
专利号：ZL 201110186989.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-07-05
专利名称：CMP终点检测方法与相变存储器底部接触结构形成方法
专利号：ZL 201110446097.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-12-27
专利名称：用于相变存储器的相变材料
专利号：ZL 201110306813.x
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-10-11
专利名称：一种相变存储器电极结构的制备方法
专利号：ZL 201310461919.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-09-30
专利名称：一种相变存储器的读写转换系统及方法
专利号：ZL 201210324598.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-04
专利名称：存储器的分块管理方法
专利号：ZL 201310078623.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-03-13
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：ZL 201110270585.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-09-14
专利名称：一种相变存储材料及其制备方法
专利号：ZL 201110135885.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-05-24
专利名称：用于测试相变存储器的半导体结构
专利号：ZL 201520162498.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2015-03-20
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