专利

专利名称：用于相变随机存取存储器的底部电接触结构的制造方法
专利号：ZL 201210102372.6
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-04-09
专利名称：提高相变材料粘附性的实现方法
专利号：ZL 201010534179.0
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-11-05
专利名称：相变存储单元及其制造方法
专利号：ZL 201310213980.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-05-31
专利名称：相变半导体器件的制造方法以及相变半导体器件
专利号：ZL 201110110144.9
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-04-29
专利名称：相变存储器，其底部接触结构及其各自制作方法
专利号：ZL 201210053852.8
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-03-02
专利名称：钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法
专利号：ZL 201210537544.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-12
专利名称：相变存储器检测结构
专利号：ZL 201520109516.X
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2015-02-13
专利名称：相变存储器的数据读出电路
专利号：ZL 201110151742.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-07
专利名称：电荷泵及工作方法
专利号：ZL 201110123472.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-05-13
专利名称：一种相变存储器多级存储系统及方法
专利号：ZL 201110203009.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-07-20
专利名称：一种相变存储器单元及其制备方法
专利号：ZL 201210335211.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-11
专利名称：用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料
专利号：ZL 201110021620.x
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-01-19
专利名称：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
专利号：ZL 201310473657.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2013-10-11
专利名称：浅槽隔离结构及其形成方法
专利号：ZL 201110207818.7
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-07-22
专利名称：相变存储器及其制作方法
专利号：ZL 201210053864.0
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-03-02
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