专利

专利名称：一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法
专利号：ZL 201110331342.8
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-10-27
专利名称：基于硫系化合物的浪涌保护器件及其制备方法
专利号：ZL 201210230324.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-07-04
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：ZL 201110459129.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-12-31
专利名称：具有掉电数据保持功能的触发器
专利号：ZL 201110164882.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-17
专利名称：一种相变存储器形成方法
专利号：ZL 201110252215.9
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-08-30
专利名称：相变存储器的数据读出电路
专利号：ZL 201110151738.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-06-07
专利名称：一种相变材料化学机械抛光方法
专利号：ZL 201310462116.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-09-30
专利名称：相变存储器及其制造方法
专利号：ZL 201110322547.X
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-10-21
专利名称：低功耗相变存储单元及其制备方法
专利号：ZL 201210300829.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-08-22
专利名称：一种具有配置电路的相变存储器芯片
专利号：ZL 201210254293.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-07-20
专利名称：基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法
专利号：ZL 201210259941.8
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-07-25
专利名称：相变存储器的形成方法
专利号：ZL 201210133616.7
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2012-04-28
专利名称：形成底部电极和相变电阻的方法
专利号：ZL 201110180750.8
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-06-29
专利名称：用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料
专利号：ZL 201310025243.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-01-23
专利名称：相变存储单元及其形成方法
专利号：ZL 201110136665.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-05-25
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