专利
专利名称：相变存储器的制造方法
专利号：ZL 201110240342.7
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-08-19
专利名称：相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法
专利号：ZL 201010581188.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-12-09
专利名称：相变存储器
专利号：ZL 201420470068.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2014-08-20
专利名称：研磨垫清洗方法
专利号：ZL 201010604743.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-12-23
专利名称：相变半导体器件的制造方法
专利号：ZL 201010547506.6
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-11-17
专利名称：一种竖直二极管阵列的制造方法
专利号：ZL 201110051916.6
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-03-04
专利名称：用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法
专利号：ZL 201210575643.X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-26
专利名称：制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法
专利号：ZL 201210537558.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-12
专利名称：一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料
专利号：ZL 201210414938.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-10-25
专利名称：用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法
专利号：ZL 201110031815.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-01-28
专利名称：相变存储器的制造方法
专利号：ZL 201110145417.3
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-05-31
专利名称：相变存储器沟槽隔离结构的制作方法
专利号：ZL 201010508960.0
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-10-13
专利名称：相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法
专利号：ZL 201110033252.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-01-30
专利名称：低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法
专利号：ZL 201210154750.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-05-16
专利名称：相变存储器及其制备方法
专利号：ZL 201010607709.X
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-12-27
