专利

专利名称：双层相变电阻及其形成方法、相变存储器及其形成方法
专利号：ZL 201010509349.X
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-10-14
专利名称：一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用
专利号：ZL 201210335321.8
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-11
专利名称：形成栓塞结构、半导体器件的方法
专利号：ZL 201110136638.4
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-05-25
专利名称：相变存储器沟槽隔离结构的制作方法
专利号：ZL 201010508926.3
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-10-13
专利名称：相变存储器阵列、相变存储器单元及其形成方法
专利号：ZL 201010573359.X
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-12-03
专利名称：用于制造相变随机存储器的方法
专利号：ZL 201110068883.6
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-03-22
专利名称：相变存储单元及其制作方法
专利号：ZL 201110020727.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-01-18
专利名称：相变随机存取存储器的存储单元
专利号：ZL 201010524974.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-10-29
专利名称：一种制作相变存储器元件的方法
专利号：ZL 201010288123.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-09-17
专利名称：一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法
专利号：ZL 201210199953.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-06-18
专利名称：微控制器用低功耗嵌入式相变存储器及其相变存储材料与制备方法
专利号：ZL 201110453265.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-12-29
专利名称：相变存储器的形成方法
专利号：ZL 201110034987.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-02-09
专利名称：相变存储器的制作方法
专利号：ZL 201010550137.6
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-11-18
专利名称：消除相变随机存储器下电极损伤的实现方法
专利号：ZL 201010534186.0
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-11-05
专利名称：一种相变随机存储器及其制造方法
专利号：ZL 201110068926.0
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-03-22
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