专利

专利名称：一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法
专利号：ZL 201210093595.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-03-31
专利名称：一种相变存储单元及其形成方法
专利号：ZL 201110037012.8
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-02-12
专利名称：相变存储器的制作方法
专利号：ZL 201010568380.0
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-11-30
专利名称：相变存储器、底部电极及其制作方法
专利号：ZL 201010223482.9
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-07-02
专利名称：低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法
专利号：ZL 201210152787.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-05-16
专利名称：超低功耗上电复位电路
专利号：ZL 201110436258.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-12-22
专利名称：一种制作相变存储器元件的方法
专利号：ZL 201010275006.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-09-03
专利名称：半导体器件及其形成方法、射频识别芯片及其形成方法
专利号：ZL 201110099727.6
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2011-04-20
专利名称：相变存储器形成方法
专利号：ZL 201010616680.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-12-30
专利名称：相变存储器的制作方法
专利号：ZL 201010601467.3
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-12-22
专利名称：相变存储器深沟槽隔离结构及制作方法
专利号：ZL 201010560166.0
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-11-15
专利名称：相变存储器的形成方法
专利号：ZL 201010573140.X
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-12-03
专利名称：用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法
专利号：ZL 201010590406.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-12-15
专利名称：相变存储器件及其制造方法
专利号：ZL 201010285160.7
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-09-17
专利名称：相变随机存储器的制造方法
专利号：ZL 201010534177.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-11-05
上一页