专利
专利名称：相变存储器及其制备方法
专利号：ZL 201010608394.0
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-12-27
专利名称：相变存储器的制作方法
专利号：ZL 201010601802.X
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-12-22
专利名称：用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法
专利号：ZL 201010619500.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-12-31
专利名称：电荷泵及电荷泵工作方法
专利号：ZL 201110190021.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-07-07
专利名称：绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法
专利号：ZL 200910195630.8
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2009-09-11
专利名称：相变存储器的制造方法
专利号：ZL 201010509421.9
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-10-14
专利名称：相变存储器的制作方法
专利号：ZL 201010568382.X
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-11-30
专利名称：有效抑制自掺杂效应的外延生长方法
专利号：ZL 201010271287.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-08-31
专利名称：用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法
专利号：ZL 201110306843.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-10-11
专利名称：形成单晶硅层的方法
专利号：ZL 201010275009.5
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-09-03
专利名称：一种相变存储器元件及其制作方法
专利号：ZL 201010274993.3
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-09-03
专利名称：用于制作相变随机存取存储器存储单元的方法
专利号：ZL201010263267.1
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-08-19
专利名称：相变存储器制造方法
专利号：ZL 201010560261.0
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-11-25
专利名称：相变存储器及其制作方法
专利号：ZL 201010548111.8
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-11-17
专利名称：沟槽阵列的形成方法
专利号：ZL 201010022587.8
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-01-08