专利
专利名称：可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液
专利号：ZL 201010189145.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-01
专利名称：一种相变存储器器件单元及制备方法
专利号：ZL 201010152455.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-04-20
专利名称：一种电阻转换存储器结构及其制造方法
专利号：ZL 201110026033.x
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-01-24
专利名称：一种Ti-Sb2Te3相变存储材料
专利号：ZL 201210076491.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-03-21
专利名称：能抑制位线间漏电流的相变存储器电路结构
专利号：ZL 201010289979.0
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-09-21
专利名称：化学机械研磨剂及化学机械研磨方法
专利号：ZL 201010022578.9
专利权人：中芯国际集成电路制造有限公司
时间：2010-01-08
专利名称：一种Ti-Sb2Te相变存储材料
专利号：ZL 201210076528.8
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-03-21
专利名称：METAL FILM RESISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD
专利号：PCT/CN2012/070938
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-10-20
专利名称：INTERCONNECTION STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
专利号：PCT/CN2011/085150
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-12-06
专利名称：COPPER INTERCONNECT STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
专利号：PCT/CN2011/084278
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-11-25
专利名称：METHOD FOR FABRICATING A SONOS MEMORY
专利号：12/648,073
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-08-14
专利名称：DOUBLE-EXPOSURE METHOD
专利号：12/648,010
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2009-06-09
专利名称：一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型
专利号：201210398631.4
专利权人：华东师范大学
时间：2012-10-18
专利名称：一种电感值可调的片上集成电感
专利号：201110283135.X
专利权人：华东师范大学
时间：2011-09-22
专利名称：一种余弦信号拟合方法
专利号：201110265645.4
专利权人：华东师范大学
时间：2011-09-09
