专利
专利名称：一种内插有Dummy金属阵列的片上集成电感
专利号：201110206561.3
专利权人：华东师范大学
时间：2011-07-22
专利名称：移动窗求和电路
专利号：201110083596.2
专利权人：华东师范大学
时间：2011-04-06
专利名称：一种直接数字频率合成器
专利号：201110021234.0
专利权人：华东师范大学
时间：2011-03-11
专利名称：一种片上集成电感
专利号：201110042201.4
专利权人：华东师范大学
时间：2011-09-07
专利名称：一种具有双层电介质电荷捕获层的DC-SONOS存储器及其制备方法
专利号：201110322893.8
专利权人：华东师范大学
时间：2011-10-21
专利名称：一种具有复合氮基介质隧穿层的TN-SONOS存储器
专利号：201110153444.5
专利权人：华东师范大学
时间：2011-06-09
专利名称：平面螺旋电感
专利号：201010263865.9
专利权人：华东师范大学
时间：2010-08-24
专利名称：平面螺旋电感
专利号：200910052963.5
专利权人：华东师范大学
时间：2009-12-30
专利名称：一种互连延迟寄生参数的分析方法
专利号：201110360476.2
专利权人：华东师范大学
时间：2011-11-15
专利名称：基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法
专利号：201110359188.5
专利权人：华东师范大学
时间：2011-11-14
专利名称：基于版图变化改变互连延迟参数的集成电路分析方法
专利号：201110360470.5
专利权人：华东师范大学
时间：2011-11-15
专利名称：后道互连延迟模型的提取及验证方法
专利号：201110125757.X
专利权人：华东师范大学
时间：2011-05-16
专利名称：片上电感集总模型
专利号：201110114087.1
专利权人：华东师范大学
时间：2011-05-04
专利名称：应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型
专利号：201110114088.6
专利权人：华东师范大学
时间：2011-05-04
专利名称：干法刻蚀方法
专利号：201110186102.3
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-07-05
