专利

专利名称：低压差线性稳压器
专利号：201120214958.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-06-23
专利名称：高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法
专利号：201110170850.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-06-23
专利名称：铜互联线大马士革技术中减少铜凹陷的方法
专利号：201110170846.6
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-06-23
专利名称：一种有效收集衬底电流的LDMOS制备方法
专利号：201110170838.1
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-06-23
专利名称：一种MOS器件热载流子效应的测试结构及测试方法
专利号：201110165082.1
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-06-17
专利名称：利用光电效应提高分辨率的光刻机成像系统及其成像方法
专利号：201110124608.1
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-05-13
专利名称：半导体硅片的清洗工艺腔
专利号：ZL201120070329.7
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-03-17
专利名称：硅片电镀铜后的清洗方法
专利号：201110064597.2
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-03-17
专利名称：电镀铜方法
专利号：201110064555.9
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-03-17
专利名称：探测器及其制造方法
专利号：201110064206.7
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-03-17
专利名称：光刻胶的涂布方法
专利号：201110064194.8
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-03-17
专利名称：金属硅化物的制备方法
专利号：201110061795.3
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-03-15
专利名称：衬底表面处理方法
专利号：201110061792.X
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-03-15
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110061790.0
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-03-15
专利名称：一种高压半导体结构及其制备方法
专利号：201110061788.3
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2011-03-15
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